SJT 10050-1991 电子元器件详细规范 3DA1722型硅NPN高频放大管壳额定的双极型晶体管
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ID： |
4893AADF6C1B4DEEBA06713131F410E5 |
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文件大小(MB)： |
0.45 |
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页数： |
10 |
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日期： |
2024-7-27 |
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中华人民共和国电子工业行业标准,SJ/T 10049-10051-91,电子元器件详细规范,3DA 1162、1722、2688 型,硅NPN高频放大管壳额定的,双极型晶体管,1991-04-08 发布1991-07-01 实施,中华人民共和国机械电子工业部 发布,中华人民共和国电子工业行业标准,电子元器件详细规范,3DA1722型硅NPN高频放大管壳,额定的双极型晶体管 SJ/T 10050-91,Detail specification for electronic components,Case rated bipolar transistor,for silicon NPN high — frequency amplification for type 3DA1722,本标准适用于3DA1722型硅NPN高频放大管壳额定的双极型晶体管,它是按照GB,7576—87《高频放大管壳额定的双极型晶体管空白详细规范》制订的,符合GB 4936. 1—85《半,导体分立器件总规范》I类的要求,中华人民共和国机械电子工业部1991-04-08批准1991-07-01 实施,. JSJ/T 10050—91,中华人民共和国机械电子工业部,评定器件质量的依据:,GB 4936.1,《半导体分立器件总规范》,SJ/T 10050-91,3DA 1722型硅NPN髙频放大管壳额定的双极型晶体管,订货资料:见本规范第7章,机械说明,外形符合GB 7581—87《半导体分立器件外形尺寸》中,F3-O3A的要求,出端识别:1.基极2.集电极3.发射极,联F3—03A,min nom max 寸min nom max,A 3. 5 4*8 e 2.54.,B 2-4 F 1.1 1-4,玲1. 8 L 12. 5 14- 5,b 0.6 厶3.5,出1 1.2 L? 6.3,C d 4 ネp,D 16-5 Q 2. 5 3. 1,ロ5. 9 6.9 Qi 2.0 2-8,E 10. 7 Z 3.0,2简略说明,半导体材料:si,封装:塑封（非空腔》,应用:彩电行推动,3质量评定类别,B类,参考数据,?冋=1. 8W(7^ = 250,尸皿= 12- 5W(Tose =25D,JlO. 2A,Vcbo>300V,県〇ユ300V,Vemo^5V,Afe = 50.300,/t>50MHZ,11,Sj/T 10050-91,4极限值（绝对最大额定值）,条文号参 数 名 称符号,数 值,单位,最小值最大值,4.1 工作管壳温度7ム配—55 150 で,4.2 贮存温度7'stg 一55 150 r,4.3,4.4,集电极ー一基极电压,最大集电极ー——基极直流电压,丒宀 4 4 1 +n 宀 E,VcBO 300 V,M电敬--- 歩责极电压,最大集电皴——发射扱直流电压VeECi 300 V,4.5 发射极——基极电压,最大发射极——基极直流电压Vebo 5 V,4.6 坡大直流集电极电流Ic 200 mA,4.7 功率耗散,最高有效（等效）结温Ti 150 ,C,功率耗散的绝对极限值Plot 1-8 w,(TMnb = 25C),12. 5 w,(丁25 c ),5电特性イ对检验要求:,条文号,特性和条件,除非另有规定,Tca，e=25C,符 号,数值,单位试验类别,最小值最大值,5-1 共发射极正向电流传输比静态值,Vce = 10V j/c —0* 5mA,んドE A2b,色标蓝（B> 50 120,紫. 100 200,灰⑴） 160 300,5.3 特征频率,ゾc宮二 20V ；7c = 30mA 10MHz,Ft 50 MHz C2b,5.4 截止电流,集电极一基极藏止电流ィ匚HO (1 ) 1 pA A2b,匕:b 0 300V,集电极ー发射极减止电流,Vce = 300V,ZcEO 5 pA,发射极一基极截止电流,Veb = 5V,?EBO 1 mA,5-5 高温裁止电流,集电极一基极截止电施,Vcb=200V1"配=ioor,/CROCE! 5 a*a C21),5.6 集电极ー发射极饱和电压,1c = 50mA キ ノr = 5mA,ゾ2.。V A3,基极ー发射极电压V HE 6 9 V,12 一,SJ/T 10050—91,续表,条文号,特性和条件,除非另有规定,Tb—25也,符号,数值,单位试验类别,最小值最大值,5.9,Vce = 1OV ?7c = 50mA,共基极输出电容Cob 6.0 pF C2a,5.11,Vcb = 50V(7e = O i/= 1MHZ,结ー壳间的热阻10 r/w C2d,6标志,6-1器件上的标志,机产品型号 3DA1722；,b.んFE分档标志キ,C.质量评定类别标志,放在型号标志后面;,1制造厂商标,却检验批的识别代号,6.2包装盒上的标志,a.重复器件上的标志;,b,标上《怕湿》等注意标记,Z定货资料,定货单上应有下列内容,a.准确的型号;,b.力FE分档色标,C.本规范编号,d.其他,8试验条件和检验要求,本章中,除非另有规定,引用的条文号对应于GB 4936. 1、GB 4937《半导体分立器件机械,和气候试验方法》和GB 4938《半导体分立器件接收和可靠性》的条文号,测试方法引自GB,4936. 1.的 6. 1. 1,13——,SJ/T 10050—91,A组一逐批,全部试验都是非破坏性,检验或试验引用标准,条 件,除非另有规定,Tcase=25"C,检验要求,數 值,单位IL AQL,最小值最大值,A1分组,外部目捡,GB 49……
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